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IXGT30N120B3D1

IXGT30N120B3D1

僅供參考

型號 IXGT30N120B3D1
PNEDA編號 IXGT30N120B3D1
描述 IGBT 1200V 300W TO268
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,946
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGT30N120B3D1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGT30N120B3D1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXGT30N120B3D1, IXGT30N120B3D1數據表 (總頁數: 7, 大小: 215.97 KB)
PDFIXGT30N120B3D1數據表 封面
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IXGT30N120B3D1規格

制造商IXYS
系列GenX3™
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)150A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.5V @ 15V, 30A
功率-最大300W
開關能量3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用87nC
25°C時的Td(開/關)16ns/127ns
測試條件960V, 30A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)100ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供應商設備包裝TO-268

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 12A

功率-最大

130W

開關能量

81µJ (on), 125µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

53nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/90ns

測試條件

390V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

75A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 25A

功率-最大

305W

開關能量

1.6mJ (on), 1.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

240nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/245ns

測試條件

600V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

80ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 50A

功率-最大

652W

開關能量

3.8mJ (on), 3.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

235nC

25°C時的Td(開/關)

34ns/312ns

測試條件

400V, 50A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 30A

功率-最大

167W

開關能量

650µJ (on), 650µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

81ns/190ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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