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IXGQ200N30PB

IXGQ200N30PB

僅供參考

型號 IXGQ200N30PB
PNEDA編號 IXGQ200N30PB
描述 IGBT 300V 400A TO3P
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 7 - 六月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGQ200N30PB資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGQ200N30PB
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IXGQ200N30PB規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
當前-集電極(Ic)(最大值)400A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝TO-3P

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650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電流-集電極脈沖(Icm)

15A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.98V @ 15V, 5A

功率-最大

25W

開關能量

80µJ (on), 70µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

14nC

25°C時的Td(開/關)

8.5ns/106ns

測試條件

400V, 5A, 60Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

195ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Renesas Electronics America

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 12A

功率-最大

34W

開關能量

30µJ (on), 180µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

32nC

25°C時的Td(開/關)

33ns/65ns

測試條件

300V, 12A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

74A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 40A

功率-最大

255W

開關能量

360µJ (on), 100µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

95nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/160ns

測試條件

400V, 20A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

45A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 24A

功率-最大

200W

開關能量

1.21mJ (on), 2.25mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

180nC

25°C時的Td(開/關)

36ns/200ns

測試條件

960V, 24A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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