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IXGN50N60BD2

IXGN50N60BD2

僅供參考

型號 IXGN50N60BD2
PNEDA編號 IXGN50N60BD2
描述 IGBT 600V FRD SOT-227B
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,398
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 24 - 五月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGN50N60BD2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGN50N60BD2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
IXGN50N60BD2, IXGN50N60BD2數據表 (總頁數: 5, 大小: 147.07 KB)
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IXGN50N60BD2規格

制造商IXYS
系列HiPerFAST™
IGBT類型-
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)75A
功率-最大250W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)200µA
輸入電容(Cies)@ Vce4.1nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝SOT-227B

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

功率-最大

20mW

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.35nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

FP25R12KT4B11BOSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

功率-最大

160W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.45nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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制造商

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IGBT類型

-

配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

-

安裝類型

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包裝/箱

-

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-

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IGBT類型

-

配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

-

安裝類型

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

329W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

525µA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.7nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SOT-227-4, miniBLOC

供應商設備包裝

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