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IXGN50N120C3H1

IXGN50N120C3H1

僅供參考

型號 IXGN50N120C3H1
PNEDA編號 IXGN50N120C3H1
描述 IGBT 1200V 95A SOT-227
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,642
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGN50N120C3H1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGN50N120C3H1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
IXGN50N120C3H1, IXGN50N120C3H1數據表 (總頁數: 6, 大小: 191.24 KB)
PDFIXGN50N120C3H1數據表 封面
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IXGN50N120C3H1規格

制造商IXYS
系列GenX3™
IGBT類型PT
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)95A
功率-最大460W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic4.2V @ 15V, 40A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce4.3nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝SOT-227B

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.53nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

150nF @ 25V

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輸入電容(Cies)@ Vce

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輸入電容(Cies)@ Vce

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當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

60nF @ 10V

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No

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