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IXDN609SITR

IXDN609SITR

僅供參考

型號 IXDN609SITR
PNEDA編號 IXDN609SITR
描述 IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC
制造商 IXYS Integrated Circuits Division
單價 請求報價
庫存 58,356
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXDN609SITR資源

品牌 IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXDN609SITR
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
IXDN609SITR, IXDN609SITR數據表 (總頁數: 14, 大小: 288.03 KB)
PDFIXDN609YI數據表 封面
IXDN609YI數據表 頁面 2 IXDN609YI數據表 頁面 3 IXDN609YI數據表 頁面 4 IXDN609YI數據表 頁面 5 IXDN609YI數據表 頁面 6 IXDN609YI數據表 頁面 7 IXDN609YI數據表 頁面 8 IXDN609YI數據表 頁面 9 IXDN609YI數據表 頁面 10 IXDN609YI數據表 頁面 11

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IXDN609SITR規格

制造商IXYS Integrated Circuits Division
系列-
驅動配置Low-Side
頻道類型Single
驅動程序數量1
門類型IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 35V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 3V
電流-峰值輸出(源極,接收器)9A, 9A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)22ns, 15ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
供應商設備包裝8-SOIC-EP

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頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

6.8V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.25A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

26ns, 18ns

工作溫度

0°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

3.3V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

6V, 9.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

500V

上升/下降時間(典型值)

25ns, 17ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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系列

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4V ~ 12.6V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.3A, 7.6A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

82ns, 12.5ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

6V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.7V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2.3A, 3.3A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

15ns, 10ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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驅動配置

High-Side or Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

12V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

250mA, 500mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

80ns, 40ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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