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IXDI602SI

IXDI602SI

僅供參考

型號 IXDI602SI
PNEDA編號 IXDI602SI
描述 2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
制造商 IXYS Integrated Circuits Division
單價 請求報價
庫存 4,878
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 20 - 六月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXDI602SI資源

品牌 IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXDI602SI
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
IXDI602SI, IXDI602SI數據表 (總頁數: 13, 大小: 261.99 KB)
PDFIXDI602SI數據表 封面
IXDI602SI數據表 頁面 2 IXDI602SI數據表 頁面 3 IXDI602SI數據表 頁面 4 IXDI602SI數據表 頁面 5 IXDI602SI數據表 頁面 6 IXDI602SI數據表 頁面 7 IXDI602SI數據表 頁面 8 IXDI602SI數據表 頁面 9 IXDI602SI數據表 頁面 10 IXDI602SI數據表 頁面 11

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IXDI602SI規格

制造商IXYS Integrated Circuits Division
系列-
驅動配置Low-Side
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 35V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 3V
電流-峰值輸出(源極,接收器)2A, 2A
輸入類型Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)7.5ns, 6.5ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
供應商設備包裝8-SOIC-EP

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門類型

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電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.45V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2.5A

輸入類型

CMOS/TTL

高壓側-最大(自舉)

500V

上升/下降時間(典型值)

25ns, 25ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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頻道類型

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驅動程序數量

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門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

125V

上升/下降時間(典型值)

65ns, 65ns

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT

電壓-供電

11.5V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 3A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

24ns, 7ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

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高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

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工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4V ~ 15V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.1V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

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工作溫度

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