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IXDI502SIAT/R

IXDI502SIAT/R

僅供參考

型號 IXDI502SIAT/R
PNEDA編號 IXDI502SIAT-R
描述 IC MOSF DRVR FAST DUAL INV 8SOIC
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,946
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXDI502SIAT/R資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXDI502SIAT/R
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
IXDI502SIAT/R, IXDI502SIAT/R數據表 (總頁數: 12, 大小: 404.13 KB)
PDFIXDN502SIA數據表 封面
IXDN502SIA數據表 頁面 2 IXDN502SIA數據表 頁面 3 IXDN502SIA數據表 頁面 4 IXDN502SIA數據表 頁面 5 IXDN502SIA數據表 頁面 6 IXDN502SIA數據表 頁面 7 IXDN502SIA數據表 頁面 8 IXDN502SIA數據表 頁面 9 IXDN502SIA數據表 頁面 10 IXDN502SIA數據表 頁面 11

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IXDI502SIAT/R規格

制造商IXYS
系列-
驅動配置Low-Side
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 30V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 3V
電流-峰值輸出(源極,接收器)2A, 2A
輸入類型Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)7.5ns, 6.5ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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頻道類型

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驅動程序數量

2

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N-Channel MOSFET

電壓-供電

6V ~ 9.5V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2.4A, 2.4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

42V

上升/下降時間(典型值)

12ns, 8ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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邏輯電壓-VIL,VIH

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電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

6A, 6A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

25ns, 25ns

工作溫度

0°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

15V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

6V, 9.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

1200V

上升/下降時間(典型值)

9.4ns, 9.7ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

9A, 9A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

20ns, 24ns

工作溫度

0°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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