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IXDI502D1T/R

IXDI502D1T/R

僅供參考

型號 IXDI502D1T/R
PNEDA編號 IXDI502D1T-R
描述 IC MOSF DRVR FAST DUAL INV 6-DFN
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 4,572
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXDI502D1T/R資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXDI502D1T/R
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
IXDI502D1T/R, IXDI502D1T/R數據表 (總頁數: 12, 大小: 404.13 KB)
PDFIXDN502SIA數據表 封面
IXDN502SIA數據表 頁面 2 IXDN502SIA數據表 頁面 3 IXDN502SIA數據表 頁面 4 IXDN502SIA數據表 頁面 5 IXDN502SIA數據表 頁面 6 IXDN502SIA數據表 頁面 7 IXDN502SIA數據表 頁面 8 IXDN502SIA數據表 頁面 9 IXDN502SIA數據表 頁面 10 IXDN502SIA數據表 頁面 11

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IXDI502D1T/R規格

制造商IXYS
系列-
驅動配置Low-Side
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 30V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 3V
電流-峰值輸出(源極,接收器)2A, 2A
輸入類型Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)7.5ns, 6.5ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-DFN (4x5)

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制造商

Microchip Technology

系列

-

驅動配置

High-Side or Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4V ~ 6V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

33ns, 27ns

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

制造商

IXYS

系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 30V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

9ns, 8ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.9A, 2.3A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

40ns, 20ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

14-SOIC

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制造商

STMicroelectronics

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.1V, 1.9V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

290mA, 430mA

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

75ns, 35ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

EMB1412MYE/NOPB

Texas Instruments

制造商

系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

3.5V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 7A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

14ns, 12ns

工作溫度

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安裝類型

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