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IXDF602SIATR

IXDF602SIATR

僅供參考

型號 IXDF602SIATR
PNEDA編號 IXDF602SIATR
描述 2A 8 SOIC DUAL INV/NON-INVERTING
制造商 IXYS Integrated Circuits Division
單價 請求報價
庫存 6,390
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXDF602SIATR資源

品牌 IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXDF602SIATR
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
IXDF602SIATR, IXDF602SIATR數據表 (總頁數: 13, 大小: 261.99 KB)
PDFIXDI602SI數據表 封面
IXDI602SI數據表 頁面 2 IXDI602SI數據表 頁面 3 IXDI602SI數據表 頁面 4 IXDI602SI數據表 頁面 5 IXDI602SI數據表 頁面 6 IXDI602SI數據表 頁面 7 IXDI602SI數據表 頁面 8 IXDI602SI數據表 頁面 9 IXDI602SI數據表 頁面 10 IXDI602SI數據表 頁面 11

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IXDF602SIATR規格

制造商IXYS Integrated Circuits Division
系列-
驅動配置Low-Side
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 35V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 3V
電流-峰值輸出(源極,接收器)2A, 2A
輸入類型Inverting, Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)7.5ns, 6.5ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

40ns, 40ns (Max)

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

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制造商

Microchip Technology

系列

-

驅動配置

High-Side or Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.75V ~ 32V

邏輯電壓-VIL,VIH

2V, 4.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

290mA, 600mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

100ns, 35ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

14-SOIC

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

3-Phase

驅動程序數量

6

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

200mA, 350mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

125ns, 50ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

6A, 6A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

20ns, 20ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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