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IXDD430YI

IXDD430YI

僅供參考

型號 IXDD430YI
PNEDA編號 IXDD430YI
描述 IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXDD430YI資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXDD430YI
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
IXDD430YI, IXDD430YI數據表 (總頁數: 12, 大小: 613.4 KB)
PDFIXDS430SI數據表 封面
IXDS430SI數據表 頁面 2 IXDS430SI數據表 頁面 3 IXDS430SI數據表 頁面 4 IXDS430SI數據表 頁面 5 IXDS430SI數據表 頁面 6 IXDS430SI數據表 頁面 7 IXDS430SI數據表 頁面 8 IXDS430SI數據表 頁面 9 IXDS430SI數據表 頁面 10 IXDS430SI數據表 頁面 11

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IXDD430YI規格

制造商IXYS
系列-
驅動配置Low-Side
頻道類型Single
驅動程序數量1
門類型IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電壓-供電8.5V ~ 35V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 3.5V
電流-峰值輸出(源極,接收器)30A, 30A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)18ns, 16ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
供應商設備包裝TO-263 (D²Pak)

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電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

6V, 9.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

250mA, 500mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

80ns, 40ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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驅動配置

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

10A, 10A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

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上升/下降時間(典型值)

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工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Renesas Electronics America Inc.

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門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

10.8V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.25A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

26ns, 18ns

工作溫度

0°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Maxim Integrated

系列

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

2V, 4.25V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

40ns, 25ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.7V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

200mA, 350mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

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上升/下降時間(典型值)

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工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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