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IXBX75N170A

IXBX75N170A

僅供參考

型號 IXBX75N170A
PNEDA編號 IXBX75N170A
描述 IGBT 1700V 110A 1040W PLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,250
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXBX75N170A資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXBX75N170A
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXBX75N170A, IXBX75N170A數據表 (總頁數: 6, 大小: 184.31 KB)
PDFIXBX75N170A數據表 封面
IXBX75N170A數據表 頁面 2 IXBX75N170A數據表 頁面 3 IXBX75N170A數據表 頁面 4 IXBX75N170A數據表 頁面 5 IXBX75N170A數據表 頁面 6

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IXBX75N170A規格

制造商IXYS
系列BIMOSFET™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)110A
電流-集電極脈沖(Icm)300A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic6V @ 15V, 42A
功率-最大1040W
開關能量3.8mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用358nC
25°C時的Td(開/關)26ns/418ns
測試條件1360V, 42A, 1Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)360ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝PLUS247™-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

240A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 60A

功率-最大

375W

開關能量

1.59mJ (on), 900µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

306nC

25°C時的Td(開/關)

66ns/210ns

測試條件

400V, 60A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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IXYS

制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電流-集電極脈沖(Icm)

48A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 12A

功率-最大

55W

開關能量

90µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

32nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/60ns

測試條件

480V, 12A, 18Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

ISOPLUS247™

供應商設備包裝

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制造商

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 15A

功率-最大

136W

開關能量

90µJ (on), 450µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

45nC

25°C時的Td(開/關)

24ns/93ns

測試條件

400V, 15A, 12Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

142ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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