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IXBN75N170

IXBN75N170

僅供參考

型號 IXBN75N170
PNEDA編號 IXBN75N170
描述 IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,912
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 6 - 六月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXBN75N170資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXBN75N170
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
IXBN75N170, IXBN75N170數據表 (總頁數: 5, 大小: 174.98 KB)
PDFIXBN75N170數據表 封面
IXBN75N170數據表 頁面 2 IXBN75N170數據表 頁面 3 IXBN75N170數據表 頁面 4 IXBN75N170數據表 頁面 5

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IXBN75N170規格

制造商IXYS
系列BIMOSFET™
IGBT類型-
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)145A
功率-最大625W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止(最大值)25µA
輸入電容(Cies)@ Vce6.93nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝SOT-227B

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2.5V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

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No

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 1500A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

280nF @ 25V

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