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ISL89411IBZ

ISL89411IBZ

僅供參考

型號 ISL89411IBZ
PNEDA編號 ISL89411IBZ
描述 IC DRVR MOSFET DUAL-CH 8-SOIC
制造商 Renesas Electronics America Inc.
單價 請求報價
庫存 18,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ISL89411IBZ資源

品牌 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ISL89411IBZ
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
ISL89411IBZ, ISL89411IBZ數據表 (總頁數: 10, 大小: 608.68 KB)
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ISL89411IBZ規格

制造商Renesas Electronics America Inc.
系列-
驅動配置Low-Side
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型N-Channel, P-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 18V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2.4V
電流-峰值輸出(源極,接收器)2A, 2A
輸入類型Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)7.5ns, 10ns
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.7V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

200mA, 350mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

150ns, 50ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

14-SOIC

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制造商

Infineon Technologies

系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

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驅動程序數量

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門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

250mA, 500mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

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邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

500ns, 300ns

工作溫度

-20°C ~ 60°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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制造商

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驅動配置

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頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

12V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

250mA, 500mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

80ns, 40ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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N-Channel MOSFET

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4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 3A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

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