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ISL89160FBEBZ

ISL89160FBEBZ

僅供參考

型號 ISL89160FBEBZ
PNEDA編號 ISL89160FBEBZ
描述 IC MOSFET DRIVER 2CH 6A 8SOIC
制造商 Renesas Electronics America Inc.
單價 請求報價
庫存 5,616
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ISL89160FBEBZ資源

品牌 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ISL89160FBEBZ
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
ISL89160FBEBZ, ISL89160FBEBZ數據表 (總頁數: 14, 大小: 750.69 KB)
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ISL89160FBEBZ規格

制造商Renesas Electronics America Inc.
系列-
驅動配置Low-Side
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 16V
邏輯電壓-VIL,VIH1.85V, 3.15V
電流-峰值輸出(源極,接收器)6A, 6A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)20ns, 20ns
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
供應商設備包裝8-SOIC-EP

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頻道類型

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驅動程序數量

2

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N-Channel MOSFET

電壓-供電

5V ~ 12V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3.5A, -

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

41V

上升/下降時間(典型值)

-

工作溫度

0°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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驅動配置

High-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 8A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

84V

上升/下降時間(典型值)

6.5ns, 4.5ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

20ns, 20ns

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.7V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.9A, 2.3A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

40ns, 20ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動程序數量

2

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IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

3V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

6V, 9.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2.5A, 2.5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

25ns, 15ns

工作溫度

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