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ISL6613BCB-T

ISL6613BCB-T

僅供參考

型號 ISL6613BCB-T
PNEDA編號 ISL6613BCB-T
描述 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
制造商 Renesas Electronics America Inc.
單價 請求報價
庫存 8,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 9 - 七月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ISL6613BCB-T資源

品牌 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ISL6613BCB-T
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
ISL6613BCB-T, ISL6613BCB-T數據表 (總頁數: 12, 大小: 679.4 KB)
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ISL6613BCB-T規格

制造商Renesas Electronics America Inc.
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電7V ~ 13.2V
邏輯電壓-VIL,VIH-
電流-峰值輸出(源極,接收器)1.25A, 2A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)36V
上升/下降時間(典型值)26ns, 18ns
工作溫度0°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.2A, 1.2A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

15ns, 15ns

工作溫度

0°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

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驅動程序數量

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門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

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制造商

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系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

10.8V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

15V

上升/下降時間(典型值)

20ns, 20ns

工作溫度

0°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Renesas Electronics America Inc.

制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

-

驅動配置

High-Side or Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

4

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

1.2V, 2.55V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

7.8ns, 6ns

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