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IS61QDB41M18A-250M3L

IS61QDB41M18A-250M3L

僅供參考

型號 IS61QDB41M18A-250M3L
PNEDA編號 IS61QDB41M18A-250M3L
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 22 - 七月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61QDB41M18A-250M3L資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61QDB41M18A-250M3L
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61QDB41M18A-250M3L, IS61QDB41M18A-250M3L數據表 (總頁數: 30, 大小: 791.35 KB)
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IS61QDB41M18A-250M3L規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QUAD
內存大小18Mb (1M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率250MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間1.8ns
電壓-供電1.71V ~ 1.89V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-LFBGA (15x17)

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內存接口

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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時鐘頻率

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電壓-供電

1.8V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Microchip Technology

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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