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IS61QDB21M18A-250B4LI

IS61QDB21M18A-250B4LI

僅供參考

型號 IS61QDB21M18A-250B4LI
PNEDA編號 IS61QDB21M18A-250B4LI
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 6,282
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61QDB21M18A-250B4LI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61QDB21M18A-250B4LI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61QDB21M18A-250B4LI, IS61QDB21M18A-250B4LI數據表 (總頁數: 30, 大小: 766.75 KB)
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IS61QDB21M18A-250B4LI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QUAD
內存大小18Mb (1M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率250MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.71V ~ 1.89V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-LFBGA (13x15)

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內存格式

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內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

150ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

32-VSOP

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

AT24C04B-TSU-T

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

供應商設備包裝

SOT-23-5

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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