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IS61NVP25636A-200TQLI-TR

IS61NVP25636A-200TQLI-TR

僅供參考

型號 IS61NVP25636A-200TQLI-TR
PNEDA編號 IS61NVP25636A-200TQLI-TR
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,208
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 7 - 六月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61NVP25636A-200TQLI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61NVP25636A-200TQLI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61NVP25636A-200TQLI-TR, IS61NVP25636A-200TQLI-TR數據表 (總頁數: 37, 大小: 681.44 KB)
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IS61NVP25636A-200TQLI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.1ns
電壓-供電2.375V ~ 2.625V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x20)

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內存接口

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訪問時間

110ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

110ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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