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IS43DR86400C-25DBLI

IS43DR86400C-25DBLI

僅供參考

型號 IS43DR86400C-25DBLI
PNEDA編號 IS43DR86400C-25DBLI
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,946
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43DR86400C-25DBLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43DR86400C-25DBLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43DR86400C-25DBLI, IS43DR86400C-25DBLI數據表 (總頁數: 48, 大小: 1,438.62 KB)
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IS43DR86400C-25DBLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間400ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-TWBGA (8x10.5)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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內存格式

EEPROM

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

IS43R16320E-5BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

60-TFBGA

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