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IS42S32800B-6T

IS42S32800B-6T

僅供參考

型號 IS42S32800B-6T
PNEDA編號 IS42S32800B-6T
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,346
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S32800B-6T資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S32800B-6T
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42S32800B-6T, IS42S32800B-6T數據表 (總頁數: 62, 大小: 1,917.86 KB)
PDFIS42S32800B-6BI-TR數據表 封面
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IS42S32800B-6T規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小256Mb (8M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.5ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝86-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存格式

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技術

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內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

18ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 40 Leads

供應商設備包裝

40-TSOP

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

8Mb (512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-VFBGA

供應商設備包裝

48-VFBGA (6x8)

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND (SLC)

內存大小

2Gb (256M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

32Kb (4K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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