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IS42S32160B-75BL

IS42S32160B-75BL

僅供參考

型號 IS42S32160B-75BL
PNEDA編號 IS42S32160B-75BL
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,964
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S32160B-75BL資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S32160B-75BL
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42S32160B-75BL, IS42S32160B-75BL數據表 (總頁數: 62, 大小: 1,173.05 KB)
PDFIS42S32160B-7TLI-TR數據表 封面
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IS42S32160B-75BL規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小512Mb (16M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.5ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-LFBGA
供應商設備包裝90-LFBGA (13x11)

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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10µs

訪問時間

55ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-WFBGA

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

1Tb (128G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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工作溫度

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