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IS42S16800E-6BLI

IS42S16800E-6BLI

僅供參考

型號 IS42S16800E-6BLI
PNEDA編號 IS42S16800E-6BLI
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 7,884
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S16800E-6BLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S16800E-6BLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42S16800E-6BLI, IS42S16800E-6BLI數據表 (總頁數: 61, 大小: 899.62 KB)
PDFIS42S16800E-7TL-TR數據表 封面
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IS42S16800E-6BLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小128Mb (8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.4ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TFBGA
供應商設備包裝54-TFBGA (8x8)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WFDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

4.5µs

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

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電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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