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IS42S16160G-6BI

IS42S16160G-6BI

僅供參考

型號 IS42S16160G-6BI
PNEDA編號 IS42S16160G-6BI
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,334
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 9 - 六月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S16160G-6BI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S16160G-6BI
類別半導體內存IC內存

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IS42S16160G-6BI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.4ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TFBGA
供應商設備包裝54-TFBGA (8x8)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR2

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

450ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

64Kb (4K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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