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IS42S16100H-6BLI

IS42S16100H-6BLI

僅供參考

型號 IS42S16100H-6BLI
PNEDA編號 IS42S16100H-6BLI
描述 IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 3,744
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S16100H-6BLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S16100H-6BLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42S16100H-6BLI, IS42S16100H-6BLI數據表 (總頁數: 83, 大小: 1,625.04 KB)
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IS42S16100H-6BLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小16Mb (1M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.5ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-TFBGA (6.4x10.1)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Cypress Semiconductor Corp

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

3.1ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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