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IS25LP080D-JKLE-TR

IS25LP080D-JKLE-TR

僅供參考

型號 IS25LP080D-JKLE-TR
PNEDA編號 IS25LP080D-JKLE-TR
描述 IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8WSON
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 6,264
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS25LP080D-JKLE-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS25LP080D-JKLE-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS25LP080D-JKLE-TR, IS25LP080D-JKLE-TR數據表 (總頁數: 112, 大小: 1,850.29 KB)
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IS25LP080D-JKLE-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小8Mb (1M x 8)
內存接口SPI - Quad I/O, QPI, DTR
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁800µs
訪問時間-
電壓-供電2.3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-WSON (6x5)

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內存大小

2Mb (64K x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

83MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.63V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

45ns

電壓-供電

4.75V ~ 5.25V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

8Gb (512M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

168-VFBGA

供應商設備包裝

168-VFBGA (12x12)

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH, RAM

技術

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

內存大小

4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

85MHz

寫周期-字,頁

8µs, 2.75ms

訪問時間

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