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IRLR3714TRLPBF

IRLR3714TRLPBF

僅供參考

型號 IRLR3714TRLPBF
PNEDA編號 IRLR3714TRLPBF
描述 MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,922
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLR3714TRLPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLR3714TRLPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRLR3714TRLPBF, IRLR3714TRLPBF數據表 (總頁數: 11, 大小: 223 KB)
PDFIRLR3714TRRPBF數據表 封面
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IRLR3714TRLPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)36A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.7nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds670pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)47W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32.7nC @ 4.5V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 44A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

600W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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14.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3.7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.05Ohm @ 3.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

90W (Tc)

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