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IRGS4B60KD1TRLP

IRGS4B60KD1TRLP

僅供參考

型號 IRGS4B60KD1TRLP
PNEDA編號 IRGS4B60KD1TRLP
描述 IGBT 600V 11A 63W D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,704
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 30 - 七月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRGS4B60KD1TRLP資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRGS4B60KD1TRLP
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRGS4B60KD1TRLP規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)11A
電流-集電極脈沖(Icm)22A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 4A
功率-最大63W
開關能量73µJ (on), 47µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用12nC
25°C時的Td(開/關)22ns/100ns
測試條件400V, 4A, 100Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)93ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 50A

功率-最大

282W

開關能量

740µJ (on), 180µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

230nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/220ns

測試條件

400V, 25A, 8Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

95ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 30A

功率-最大

263W

開關能量

2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

205nC

25°C時的Td(開/關)

-/290ns

測試條件

600V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.35V @ 15V, 32A

功率-最大

300W

開關能量

950µJ (on), 2.9mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

110nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/334ns

測試條件

480V, 32A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電流-集電極脈沖(Icm)

15A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 5A

功率-最大

52W

開關能量

81µJ (on), 49µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

9.2nC

25°C時的Td(開/關)

8ns/73ns

測試條件

400V, 5A, 60Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

170ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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