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IRGS4B60KD1PBF

IRGS4B60KD1PBF

僅供參考

型號 IRGS4B60KD1PBF
PNEDA編號 IRGS4B60KD1PBF
描述 IGBT 600V 11A 63W D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,958
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 15 - 七月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRGS4B60KD1PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRGS4B60KD1PBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRGS4B60KD1PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)11A
電流-集電極脈沖(Icm)22A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 4A
功率-最大63W
開關能量73µJ (on), 47µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用12nC
25°C時的Td(開/關)22ns/100ns
測試條件400V, 4A, 100Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)93ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 40A

功率-最大

50W

開關能量

850µJ (on), 600µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

104nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/160ns

測試條件

300V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-3PFM

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 30A

功率-最大

312W

開關能量

2.53mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

94nC

25°C時的Td(開/關)

-/525ns

測試條件

600V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

9.6A

電流-集電極脈沖(Icm)

9.9A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 3A

功率-最大

62.5W

開關能量

290µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

22nC

25°C時的Td(開/關)

9.2ns/281ns

測試條件

800V, 3A, 82Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

42ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

48A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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