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IRGR2B60KDTRLPBF

IRGR2B60KDTRLPBF

僅供參考

型號 IRGR2B60KDTRLPBF
PNEDA編號 IRGR2B60KDTRLPBF
描述 IGBT 600V 6.3A 35W DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,946
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 3 - 六月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRGR2B60KDTRLPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRGR2B60KDTRLPBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRGR2B60KDTRLPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)6.3A
電流-集電極脈沖(Icm)8A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.25V @ 15V, 2A
功率-最大35W
開關能量74µJ (on), 39µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用12nC
25°C時的Td(開/關)11ns/150ns
測試條件400V, 2A, 100Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)68ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-Pak

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600V

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74A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 50A

功率-最大

278W

開關能量

1.1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

92nC

25°C時的Td(開/關)

-/116ns

測試條件

400V, 50A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

48A

電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.2V @ 15V, 20A

功率-最大

250W

開關能量

1.16mJ (on), 470µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

79nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/93ns

測試條件

600V, 20A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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制造商

IXYS

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

220A

電流-集電極脈沖(Icm)

480A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 70A

功率-最大

830W

開關能量

1.9mJ (on), 2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

143nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/120ns

測試條件

360V, 70A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

當前-集電極(Ic)(最大值)

98A

電流-集電極脈沖(Icm)

196A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.5V @ 15V, 55A

功率-最大

200W

開關能量

380µJ (on), 3.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/270ns

測試條件

200V, 55A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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