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IRGIB6B60KD116P

IRGIB6B60KD116P

僅供參考

型號 IRGIB6B60KD116P
PNEDA編號 IRGIB6B60KD116P
描述 IGBT 600V 11A 38W TO220FP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,912
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 6 - 六月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRGIB6B60KD116P資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRGIB6B60KD116P
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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IRGIB6B60KD116P規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)11A
電流-集電極脈沖(Icm)22A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.2V @ 15V, 5A
功率-最大38W
開關能量110µJ (on), 135µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用18.2nC
25°C時的Td(開/關)25ns/215ns
測試條件400V, 5A, 100Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)70ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220AB Full-Pak

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電流-集電極脈沖(Icm)

110A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 30A

功率-最大

200W

開關能量

1.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

24A

電流-集電極脈沖(Icm)

48A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 12A

功率-最大

100W

開關能量

90µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

32nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/60ns

測試條件

480V, 12A, 18Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

35ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

42A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 12A

功率-最大

140W

開關能量

81µJ (on), 125µJ (off)

輸入類型

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門禁費用

53nC

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390V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電流-集電極脈沖(Icm)

20A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 7A

功率-最大

55W

開關能量

15mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

29nC

25°C時的Td(開/關)

570ns/-

測試條件

960V, 7A, 1kOhm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

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