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IRG7U100HF12A

IRG7U100HF12A

僅供參考

型號 IRG7U100HF12A
PNEDA編號 IRG7U100HF12A
描述 MOD IGBT 1200V 100A POWIR 34
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,178
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 18 - 六月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG7U100HF12A資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG7U100HF12A
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
IRG7U100HF12A, IRG7U100HF12A數據表 (總頁數: 6, 大小: 991.36 KB)
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IRG7U100HF12A規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)200A
功率-最大580W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce10nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱POWIR® 34 Module
供應商設備包裝POWIR® 34

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

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400A

功率-最大

1450W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

27nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

134A

功率-最大

463W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.85V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

600W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

13.2nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

*

IGBT類型

-

配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

-

安裝類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

64A

功率-最大

284W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.24nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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