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IRG7CH81K10EF-R

IRG7CH81K10EF-R

僅供參考

型號 IRG7CH81K10EF-R
PNEDA編號 IRG7CH81K10EF-R
描述 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,248
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG7CH81K10EF-R資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG7CH81K10EF-R
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IRG7CH81K10EF-R, IRG7CH81K10EF-R數據表 (總頁數: 4, 大小: 202.9 KB)
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IRG7CH81K10EF-R規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.3V @ 15V, 150A
功率-最大-
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用745nC
25°C時的Td(開/關)70ns/330ns
測試條件600V, 150A, 1Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.02V @ 15V, 30A

功率-最大

321W

開關能量

1.32mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

18A

電流-集電極脈沖(Icm)

25A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.65V @ 15V, 5A

功率-最大

60W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

18nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/160ns

測試條件

390V, 5A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

22ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 30A

功率-最大

238W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

54.7nC

25°C時的Td(開/關)

14.4ns/52.8ns

測試條件

400V, 30A, 6Ohm, 15V

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-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1250V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 25A

功率-最大

375W

開關能量

720µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

114nC

25°C時的Td(開/關)

-/128ns

測試條件

600V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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