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IRG7CH81K10EF

IRG7CH81K10EF

僅供參考

型號 IRG7CH81K10EF
PNEDA編號 IRG7CH81K10EF
描述 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,470
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 17 - 五月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG7CH81K10EF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG7CH81K10EF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRG7CH81K10EF規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型-
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

280A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 32A

功率-最大

400W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

142nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

1.5µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

7.5A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 2.5A

功率-最大

53.6W

開關能量

50µJ (on), 40µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

17.1nC

25°C時的Td(開/關)

10ns/128ns

測試條件

400V, 2.5A, 68Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

23A

電流-集電極脈沖(Icm)

92A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 12A

功率-最大

100W

開關能量

130µJ (on), 130µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

51nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/99ns

測試條件

480V, 12A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

78A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 35A

功率-最大

325W

開關能量

3.8mJ (on), 4.1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

106nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

600V, 35A, 27Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

350ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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功率-最大

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