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IRG5K200HF12B

IRG5K200HF12B

僅供參考

型號 IRG5K200HF12B
PNEDA編號 IRG5K200HF12B
描述 MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,334
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG5K200HF12B資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG5K200HF12B
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
IRG5K200HF12B, IRG5K200HF12B數據表 (總頁數: 6, 大小: 876.78 KB)
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IRG5K200HF12B規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)400A
功率-最大1250W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.6V @ 15V, 200A
當前-集電極截止(最大值)2mA
輸入電容(Cies)@ Vce26nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱POWIR® 62 Module
供應商設備包裝POWIR® 62

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-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

-

安裝類型

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包裝/箱

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

961W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

350µA

輸入電容(Cies)@ Vce

10.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP4

供應商設備包裝

SP4

制造商

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系列

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IGBT類型

NPT

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

330A

功率-最大

1380W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

13mA

輸入電容(Cies)@ Vce

13nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

功率-最大

20mW

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

20mW

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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