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IRFR12N25DTRLP

IRFR12N25DTRLP

僅供參考

型號 IRFR12N25DTRLP
PNEDA編號 IRFR12N25DTRLP
描述 MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,712
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 7 - 六月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR12N25DTRLP資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR12N25DTRLP
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFR12N25DTRLP, IRFR12N25DTRLP數據表 (總頁數: 11, 大小: 225.51 KB)
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IRFR12N25DTRLP規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs260mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs35nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds810pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)144W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26.8mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1592pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

118W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

435pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

255nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

19000pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

690W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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