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IRFIBC30GPBF

IRFIBC30GPBF

僅供參考

型號 IRFIBC30GPBF
PNEDA編號 IRFIBC30GPBF
描述 MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 26,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 4 - 五月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFIBC30GPBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFIBC30GPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFIBC30GPBF, IRFIBC30GPBF數據表 (總頁數: 8, 大小: 928.53 KB)
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IRFIBC30GPBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs31nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds660pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)35W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.89mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

71.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5308pF @ 12V

FET功能

Schottky Diode (Body)

功耗(最大值)

160W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 8V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

215mOhm @ 1A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.1nC @ 4.2V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

130pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

112A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 66A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

250nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

93mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+6V, -8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 10V

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