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IRFB52N15DPBF

IRFB52N15DPBF

僅供參考

型號 IRFB52N15DPBF
PNEDA編號 IRFB52N15DPBF
描述 MOSFET N-CH 150V 51A TO-220AB
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 15,732
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFB52N15DPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFB52N15DPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFB52N15DPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)51A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs32mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs89nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2770pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.8W (Ta), 230W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

117mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

146nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3249pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.3V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

83mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

820pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

670mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

76A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 76A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 130µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2475pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

96nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1640pF @ 100V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22.5mOhm @ 7.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

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