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IRF7421D1PBF

IRF7421D1PBF

僅供參考

型號 IRF7421D1PBF
PNEDA編號 IRF7421D1PBF
描述 MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,184
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7421D1PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7421D1PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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IRF7421D1PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列FETKY™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs27nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds510pF @ 25V
FET功能Schottky Diode (Isolated)
功耗(最大值)2W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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20V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 6.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.16nC @ 5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

535pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.9mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

188nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

357W (Tj)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

89nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2750pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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