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IRF7329TR

IRF7329TR

僅供參考

型號 IRF7329TR
PNEDA編號 IRF7329TR
描述 MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,732
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7329TR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7329TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF7329TR, IRF7329TR數據表 (總頁數: 9, 大小: 318.07 KB)
PDFIRF7329TR數據表 封面
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IRF7329TR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID900mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs57nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3450pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 4.2V

Vgs(th)(最大)@ ID

220mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

660mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

385mOhm @ 660mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

270mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2675pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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Renesas Electronics America

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 10V

功率-最大

1.12W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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