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IRF6723M2DTR1P

IRF6723M2DTR1P

僅供參考

型號 IRF6723M2DTR1P
PNEDA編號 IRF6723M2DTR1P
描述 MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 22 - 六月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF6723M2DTR1P資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF6723M2DTR1P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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IRF6723M2DTR1P規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.35V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1380pF @ 15V
功率-最大2.7W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DirectFET™ Isometric MA
供應商設備包裝DIRECTFET™ MA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A, 1.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.6nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

465pF @ 15V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

530pF @ 10V, 705pF @ 10V

功率-最大

800mW (Ta)

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