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IRF6702M2DTR1PBF

IRF6702M2DTR1PBF

僅供參考

型號 IRF6702M2DTR1PBF
PNEDA編號 IRF6702M2DTR1PBF
描述 MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,166
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF6702M2DTR1PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF6702M2DTR1PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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IRF6702M2DTR1PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.35V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1380pF @ 15V
功率-最大2.7W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DirectFET™ Isometric MA
供應商設備包裝DIRECTFET™ MA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

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