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IPS05N03LA G

IPS05N03LA G

僅供參考

型號 IPS05N03LA G
PNEDA編號 IPS05N03LA-G
描述 MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,536
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPS05N03LA G資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPS05N03LA G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IPS05N03LA G, IPS05N03LA G數據表 (總頁數: 12, 大小: 524.49 KB)
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IPS05N03LA G規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3110pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)94W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO251-3
包裝/箱TO-251-3 Stub Leads, IPak

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25.5nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

203nC @ 10V

Vgs(最大)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

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