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IPA80R1K4P7XKSA1

IPA80R1K4P7XKSA1

僅供參考

型號 IPA80R1K4P7XKSA1
PNEDA編號 IPA80R1K4P7XKSA1
描述 MOSFET N-CH 800V 4A TO220
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,462
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPA80R1K4P7XKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPA80R1K4P7XKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPA80R1K4P7XKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 700µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds250pF @ 500V
FET功能Super Junction
功耗(最大值)24W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

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45W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

399mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

545pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

178W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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880mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.25W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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1.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

140pF @ 5V

FET功能

-

功耗(最大值)

420mW (Ta)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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