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IMZ4T108

IMZ4T108

僅供參考

型號 IMZ4T108
PNEDA編號 IMZ4T108
描述 TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,786
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IMZ4T108資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IMZ4T108
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
IMZ4T108, IMZ4T108數據表 (總頁數: 4, 大小: 150.77 KB)
PDFIMZ4T108數據表 封面
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IMZ4T108規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)32V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 100mA, 3V
功率-最大300mW
頻率-過渡250MHz, 200MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝SMT6

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

210mW

頻率-過渡

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安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10µA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

340mV @ 270mA, 2.7A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1A, 2V

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