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IGB20N65S5ATMA1

IGB20N65S5ATMA1

僅供參考

型號 IGB20N65S5ATMA1
PNEDA編號 IGB20N65S5ATMA1
描述 IGBT PRODUCTS
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,232
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 11 - 六月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IGB20N65S5ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IGB20N65S5ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IGB20N65S5ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型-
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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48A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 12A

功率-最大

100W

開關能量

90µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

32nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/60ns

測試條件

480V, 12A, 18Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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安裝類型

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Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 39A

功率-最大

200W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電流-集電極脈沖(Icm)

24A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 3A

功率-最大

50W

開關能量

30µJ (on), 58µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

14nC

25°C時的Td(開/關)

14ns/33ns

測試條件

480V, 3A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

45ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

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22A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.3V @ 15V, 5A

功率-最大

60W

開關能量

450µJ (on), 440µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

28nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/93ns

測試條件

960V, 5A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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