IDW12G65C5XKSA1
僅供參考
| 型號 | IDW12G65C5XKSA1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA編號 | IDW12G65C5XKSA1 | ||||||||||||||||||
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3 | ||||||||||||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| 單價 |
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| 庫存 | 214 | ||||||||||||||||||
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 預計交貨 | 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* | ||||||||||||||||||
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IDW12G65C5XKSA1資源
| 品牌 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| 制造商零件編號 | IDW12G65C5XKSA1 |
| 類別 | 半導體 › 二極管與整流器 › 整流器-單 |
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IDW12G65C5XKSA1規格
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 系列 | CoolSiC™+ |
| 二極管類型 | Silicon Carbide Schottky |
| 電壓-直流反向（Vr）（最大值） | 650V |
| 電流-平均整流（Io） | 12A (DC) |
| 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 | 1.7V @ 12A |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 反向恢復時間（trr） | 0ns |
| 當前-反向泄漏@ Vr | 190µA @ 650V |
| 電容@ Vr，F | 360pF @ 1V, 1MHz |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 包裝/箱 | TO-247-3 |
| 供應商設備包裝 | PG-TO247-3 |
| 工作溫度-結點 | -55°C ~ 175°C |
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