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IDT71016S12YGI

IDT71016S12YGI

僅供參考

型號 IDT71016S12YGI
PNEDA編號 IDT71016S12YGI
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,426
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71016S12YGI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71016S12YGI
類別半導體內存IC內存
數據表
IDT71016S12YGI, IDT71016S12YGI數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,504.05 KB)
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IDT71016S12YGI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (64K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-SOJ

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IDT, Integrated Device Technology Inc

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-

內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

36Mb (2M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.2ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

STMicroelectronics

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

100ns

電壓-供電

3.14V ~ 3.47V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

24-TBGA

供應商設備包裝

24-BGA (6x8)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPSDR

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

125MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

7ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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