HS8K1TB
僅供參考
| 型號 | HS8K1TB |
| PNEDA編號 | HS8K1TB |
| 描述 | 30V NCH+NCH POWER MOSFET |
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 27,732 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 六月 12 - 六月 17 (選擇加急運輸) |
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HS8K1TB資源
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | HS8K1TB |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
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HS8K1TB規格
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 系列 | - |
| FET類型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET功能 | Standard |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 30V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 10A (Ta), 11A (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 2.5V @ 1mA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 6nC, 7.4nC @ 10V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 348pF, 429pF @ 15V |
| 功率-最大 | 2W (Ta) |
| 工作溫度 | 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 8-UDFN Exposed Pad |
| 供應商設備包裝 | HSML3030L10 |
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