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HN4A51JTE85LF

HN4A51JTE85LF

僅供參考

型號 HN4A51JTE85LF
PNEDA編號 HN4A51JTE85LF
描述 TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 29,532
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 12 - 五月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HN4A51JTE85LF資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HN4A51JTE85LF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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HN4A51JTE85LF規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)120V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 6V
功率-最大300mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74A, SOT-753
供應商設備包裝SMV

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 350mA, 7A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 4A, 2V

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當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 10mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 3A, 4V

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