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HGTP12N60C3

HGTP12N60C3

僅供參考

型號 HGTP12N60C3
PNEDA編號 HGTP12N60C3
描述 IGBT 600V 24A 104W TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,032
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 9 - 五月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HGTP12N60C3資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HGTP12N60C3
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
HGTP12N60C3, HGTP12N60C3數據表 (總頁數: 7, 大小: 172.1 KB)
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HGTP12N60C3規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)24A
電流-集電極脈沖(Icm)96A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 12A
功率-最大104W
開關能量380µJ (on), 900µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用48nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電流-集電極脈沖(Icm)

32A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 9A

功率-最大

60W

開關能量

150µJ (on), 250µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

34nC

25°C時的Td(開/關)

28ns/150ns

測試條件

480V, 9A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

17A

電流-集電極脈沖(Icm)

92A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 12A

功率-最大

45W

開關能量

380µJ (on), 160µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

50nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/91ns

測試條件

480V, 12A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

42ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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26.9A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.2V @ 4V, 6A

功率-最大

166W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

24nC

25°C時的Td(開/關)

-/5.3µs

測試條件

300V, 6.5A, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

16.5A

電流-集電極脈沖(Icm)

27A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.6V @ 15V, 8A

功率-最大

125W

開關能量

1mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

70nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/440ns

測試條件

800V, 8A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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